塑封半導(dǎo)體器件THB試驗(yàn)
作者：
網(wǎng)絡(luò)
編輯：
瑞凱儀器
來源：
網(wǎng)絡(luò)
發(fā)布日期： 2021.08.19
THB 試驗(yàn)是考核塑封器件耐濕性常用的加速試驗(yàn)方法，一般在高溫高濕試驗(yàn)箱中進(jìn)行。通過提高環(huán)境溫度及相對濕度，使試驗(yàn)環(huán)境的水汽分壓增加，加大了試驗(yàn)環(huán)境與塑封半導(dǎo)體器件樣品內(nèi)部的水蒸氣壓力差，進(jìn)而加劇水汽擴(kuò)散和吸收：同時施加偏置電壓為加速金屬侵蝕提供了必要的電解電池。加速金屬侵蝕的原因還有:塑封器件所用不同材料的熱失配使封裝體內(nèi)產(chǎn)生縫隙加速水汽的侵入；封裝材料中的雜質(zhì)污染等。
為得到較好的加速性，THB試驗(yàn)對不同功率的塑封半導(dǎo)體器件施加不同電壓偏置:小功率塑封半導(dǎo)體器件，施加穩(wěn)態(tài)電壓偏置;人功率塑封半導(dǎo)體器件，施加間歇電壓偏置。因?yàn)榇蠊β势骷凇坝衅?bias-on)”時，芯片發(fā)熱對芯片周圍的模塑化合物有烘干作用，若持續(xù)施加穩(wěn)態(tài)電壓偏置，則模塑化合物中不會存在水汽。因此，人功率器什在間歇偏置電壓下“無偏置（bias-off)”時模塑化合物吸收水汽;“有編置(bias-on)”時，封裝體內(nèi)水汽在也偏置作:用下產(chǎn)生離子遷移激發(fā)火效。表1是JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD22-A101-B（穩(wěn)態(tài)THB壽命試!驗(yàn)〉中施加電壓偏置的原則。
JESD22-A101-B標(biāo)準(zhǔn)中指出，大多數(shù)大功率塑封半導(dǎo)體器件試驗(yàn)樣品以1小時加偏置，1小時不加偏置即能得到較好加速性。
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