thb試驗是考核塑封器件耐濕性常用的加速試驗方法，一般在高溫高濕試驗箱中進行。通過提高環(huán)境溫度及相對濕度，使試驗環(huán)境的水汽分壓增加，加大了試驗環(huán)境與塑封半導體器件樣品內部的水蒸氣壓力差，進而加劇水汽擴散和吸收：同時施加偏置電壓為加速金屬侵蝕提供了必要的電解電池。加速金屬侵蝕的原因還有:塑封器件所用不同材料的熱失配使封裝體內產生縫隙加速水汽的侵入；封裝材料中的雜質污染等。

HAST是專為塑封固態(tài)器件而設計的，因為事實證明，高壓蒸煮和thb試驗對于某些健壯的塑封微電路已經不能產生失效。 這一試驗用高溫(通常為130℃)、高相對濕度(約85%)、高大氣壓力的條件（達3atm）來加速潮氣通過外部保護材料或芯片引線周圍的密封封裝。