低氣壓試驗(yàn)箱的試驗(yàn)?zāi)康募皽y(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
作者:
salmon范
編輯:
瑞凱儀器
來(lái)源:
litaoweb.cn
發(fā)布日期: 2019.07.05
GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法105 低氣壓試驗(yàn) (等效美軍標(biāo)MIL-STD-202F )
1、目的:
低氣壓試驗(yàn)箱是確定元件和材料在低氣壓下耐電擊穿能力;確定密封元件耐受氣壓差不破壞的能力;檢驗(yàn)低氣壓對(duì)元件工作特性的影響及低氣壓下的其他效應(yīng);有時(shí)候可用于確定機(jī)電元件的耐久性。
本方法是常溫條件下的低氣壓試驗(yàn)。若裝置元件的設(shè)備將在低溫低氣壓及高溫低氣壓的綜合條件下貯存和使用,而且能夠斷定高低溫和氣壓的綜合作用是造成失效的主要原因,常溫低氣壓試驗(yàn)不能使用時(shí),則應(yīng)進(jìn)行溫度-氣壓綜合環(huán)境試驗(yàn)。
溫升與海拔高度的關(guān)系
2、
低氣壓試驗(yàn)箱相關(guān)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
1)GJB 150.2A-2009 《軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第二部分 低氣壓(高度)試驗(yàn)》
2)GJB
360B-2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法105低氣壓試驗(yàn)》(等效美軍標(biāo)MIL-STD-202F )
3)GJB 548B-2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序 方法1001 低氣壓(高空作業(yè))》(等效美軍標(biāo)MIL-STD-883D)
4)GB/T 2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn) 總則》
5)GB/T
2423.21-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)M低氣壓試驗(yàn)方法》
6)GB/T 2423.25-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》
7)GB/T 2423.26-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》
8)GB/T 2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Z/AMD 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)訪求》
9)GB/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》
10)MIL-STD-810F 《環(huán)境工程考慮與實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn) 低氣壓(高度)試驗(yàn)》
11) GB/T 1920-1980 標(biāo)準(zhǔn)大氣(30公里以下部分)(2015年10月已作廢)
12)IEC
60068-2-41(1976)《基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 第二部分 試驗(yàn) 試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓試驗(yàn)》