圖：IGBT模塊的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)

    由于功率循環(huán)中，硅芯片的熱機(jī)械失配較大，因此功率循環(huán)會(huì)在硅芯片的金屬層上引起重要的周期性壓縮應(yīng)力和拉伸應(yīng)力。結(jié)果，這種應(yīng)力可能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過彈性極限，并且它們的變松可能通過機(jī)械過程發(fā)生，例如通過擴(kuò)散蠕變，晶界滑動(dòng)或位錯(cuò)滑行引起的塑性變形等。這可能會(huì)導(dǎo)致鋁晶粒的擠出，也可能會(huì)導(dǎo)致晶粒邊界處的氣穴效應(yīng)，也即是空洞的形成，具體取決于金屬化的質(zhì)地，這導(dǎo)致芯片表面鋁的重新構(gòu)造，并導(dǎo)致其薄層電阻隨時(shí)間增加。這可以通過測(cè)量IGBT導(dǎo)通狀態(tài)下的壓降來對(duì)其進(jìn)行監(jiān)視。大的電流幅度會(huì)加速此過程。芯片金屬層的變化逐漸增加了芯片電阻，從而導(dǎo)致額外的損耗、更高的結(jié)溫變化和鍵合線的粘附性更差，從而加速了失效的過程。

    與銅材料和硅芯片相比，鋁線具有相對(duì)較高的熱膨脹系數(shù)，在高額定電流和開關(guān)操作的工作條件下，IGBT的引線鍵合幾乎暴露于由硅芯片中的功耗和引線鍵合本身所造成的整個(gè)溫度波動(dòng)。此外，由于集膚效應(yīng)，整個(gè)截面上的電流密度分布非常不均勻。通常，引線鍵合的失效主要是由于在焊盤和引線鍵合之間產(chǎn)生的剪切應(yīng)力引起的疲勞而導(dǎo)致的。結(jié)果，它們逐漸與IGBT芯片斷開，直到它們達(dá)到損壞/開路狀態(tài)?？梢杂^察到兩種現(xiàn)象：焊線根部的裂紋擴(kuò)展，即Heel Crack；或者焊線的剝離，即Wire bonding lift-off。對(duì)于上一種情況，此問題來自沒有優(yōu)化的引線鍵合工藝，該工藝會(huì)機(jī)械地?fù)p壞引線鍵合根部，造成產(chǎn)生裂紋。在后者中，引線鍵合會(huì)老化，由于材料之間較高的熱膨脹系數(shù)（Coefficient of Thermal Expansion）的不匹配而導(dǎo)致其剝離。這種破壞始于引線鍵合尾部的裂紋，并通過引線鍵合和芯片上金屬之間的界面?zhèn)鞑?，直到完全剝離為止?？梢酝ㄟ^測(cè)量接觸電阻或電流內(nèi)部分布的變化從外部檢測(cè)失效的發(fā)展，從而可以通過監(jiān)測(cè)導(dǎo)通狀態(tài)下的器件壓降來跟蹤失效的發(fā)展。在IGBT模塊中柔軟的硅樹脂可以吸收這些機(jī)械振動(dòng)。由于每個(gè)芯片的額定電流>10A的IGBT模塊具有多條并聯(lián)的焊線，因此，失去焊線接觸不會(huì)立即導(dǎo)致器件失效。那些平行的，尚未完全破壞的鍵合線現(xiàn)在必須承載額外的電流，引線鍵合的焊腳將被加熱得更多。因此，它們的老化過程被進(jìn)一步加速。在剩下的后一個(gè)鍵合線中，電流密度將會(huì)很高，以至于芯片的金屬層將開始熔化，會(huì)產(chǎn)生內(nèi)部電弧，并破壞芯片。

    IGBT的一個(gè)主要失效機(jī)理與焊接層的熱-機(jī)械疲勞有關(guān)。關(guān)鍵的交界面是芯片連接陶瓷基板的Die Attach層和陶瓷基板與金屬底板之間的焊接層。在這樣的位置，通?？梢园l(fā)現(xiàn)在兩個(gè)界面上的熱膨脹系數(shù)（Coefficient of Thermal Expansion）失配嚴(yán)重、并具有大的溫度擺幅；并且對(duì)于陶瓷基板與金屬底板接觸來說，具有大的橫向尺寸。IGBT模塊中用作焊接層的常用材料是錫銀，銦或錫鉛合金。它們具有出色的電性能，并且作為軟焊料，它們具有良好的流動(dòng)特性。通常，焊接層被視為一個(gè)單一的均相，但事實(shí)并非如此，因?yàn)樗鼈兊南鄷?huì)隨著時(shí)間而發(fā)生變化。例如，當(dāng)將具有銅金屬鍍層的陶瓷基板與標(biāo)準(zhǔn)鉛錫合金焊接在一起時(shí)，主要通過形成靠近銅層的Cu5Sn6合金層相來提供鍵合。在焊接層的部分形成了另外兩個(gè)不同的相，一個(gè)富錫和一個(gè)富鉛。在加速老化測(cè)試中，由于合金在較高的同源溫度下工作，這些相迅速變粗，從而改變了其熱機(jī)械性能；由于銅相比錫鉛相脆得多，因此熱機(jī)械疲勞裂紋常在富銅合金層間傳播。由于較大的熱膨脹系數(shù)（Coefficient of Thermal Expansion）失配和較高的溫度，先在緊接在陶瓷基板下方的合金層附近發(fā)現(xiàn)疲勞裂紋。金相學(xué)研究表明，裂紋在焊接層的邊界處開始，該處的切應(yīng)力達(dá)到大。另外，在陶瓷基板的邊緣處銳角的存在極大地促進(jìn)了裂紋的形成。以上的過程，將會(huì)導(dǎo)致模塊的熱阻增加，這會(huì)導(dǎo)致IGBT的芯片過熱，并加快其它失效的速度，以至于它們隨后會(huì)產(chǎn)生失效。盡管大的接觸面積是金屬底板和陶瓷基板背面金屬化層之間的焊接層，從九十年代末開始，可使用相對(duì)堅(jiān)硬的、并具有接近陶瓷基板的CTE（如AlSiC材料）代替銅作為基板材料，在該區(qū)域產(chǎn)生熱-機(jī)械應(yīng)力可以大大減少。

    功率循環(huán)測(cè)試后，在陶瓷基板邊緣處可以觀察到較大面積的分層。邊緣處的不連續(xù)導(dǎo)致該位置，特別是邊角處的應(yīng)力峰值。這是由于這樣的事實(shí)：粘結(jié)的材料可以沿?zé)o限制的方向隨溫度自由膨脹，但是，在材料粘結(jié)的界面處，它們是粘合的，并且它們的熱-機(jī)械特性，主要是楊氏模量和熱膨脹系數(shù)將限定器件封裝的形變。因此，對(duì)于較高/較低的楊氏模量以及非常不同的熱膨脹系數(shù)和材料厚度，預(yù)期將獲得更多的局部的/分散的應(yīng)變，其接近器件封裝邊緣處的不連續(xù)性，終將導(dǎo)致較高和局部的應(yīng)力/較低且分布更廣的應(yīng)力。因此，斷裂始于外角和邊緣，并向焊接材料的中擴(kuò)散，從而吸收了這種存儲(chǔ)的機(jī)械能。當(dāng)一個(gè)IGBT模塊表現(xiàn)出溫度不均勻并且存在高溫梯度時(shí)，焊接層的劣化從指向達(dá)到較高溫度的模塊位置的邊角開始并向外移動(dòng)。IGBT模塊Die Attach層的疲勞，大多與鍵合線的損壞一起出現(xiàn)。整個(gè)IGBT模塊加熱得越多，焊料連接所受的應(yīng)力就越大。焊接疲勞會(huì)導(dǎo)致Rth和芯片溫度升高，進(jìn)而會(huì)導(dǎo)致更高的損耗，從而導(dǎo)致IGBT中的結(jié)溫更高。加速了被測(cè)IGBT器件的老化過程。

SAM顯示的焊接層分層

作者：王剛
文章選自：數(shù)字化工業(yè)軟件技術(shù)期刊
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