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高溫老化條件下LED模組封裝材料失效研究

作者: salmon范 編輯: 瑞凱儀器 來源: litaoweb.cn 發(fā)布日期: 2019.10.12

引言

    隨著LED器件制造技術(shù)的不斷完善,其發(fā)光效率、亮度和功率都有了大幅度提高。然而LED的光電轉(zhuǎn)換效率依然只有20%左右,其余的電能則轉(zhuǎn)換成熱能造成組件溫度提高,發(fā)光效率降低。而封裝材料作為組件的一部分對高溫更加敏感,因此,由封裝材料引起的失效是影響整個LED模組壽命的主要原因之-一。
    本文針對常見的硅膠和熒光粉為封裝材料的LED模組,選取具有代表性的樣品在高溫條件下進行老化試驗,其目的在于分析封裝材料的失效行為,找到其失效原理。通過在線測量樣品的光照度,獲取在高溫條件下封裝材料的失效規(guī)律對LED樣品可靠性的影響。

    1、試驗

    LED作為一種典型的高可靠性電子產(chǎn)品,在室溫下的使用壽命可能長達數(shù)年,如果在常規(guī)條件下進行試驗,周期過長,成本較高。而根據(jù)阿倫尼斯模型,隨著溫度升高,LED模組的壽命會隨之降低。所以可以通過提高環(huán)境溫度來達到加速LED模組失效的目的。根據(jù)本試驗中選取的LED樣品的相關(guān)性能參數(shù)和前期試驗的結(jié)果,選取125℃作為實驗的環(huán)境溫度進行恒定溫度的 高溫老化試驗。LED發(fā)生失效的主要表現(xiàn)形式包括:光照度衰減30%出現(xiàn)閃爍和死燈(即完全熄滅)。因此要探求LED模組在高溫條件下的失效行為,必須掌握LED光照度隨時間變化的規(guī)律。傳統(tǒng)離線測試方式需要取出樣品進行測試,試驗必須中斷,對數(shù)據(jù)的精度有較大影響。故本文采取在線測量方式,實時監(jiān)測光照度隨時間的變化。
    1.1試驗流程

    試驗流程如圖1所示,將樣品放置在試驗箱中進行加電試驗,其照度信號通過光纖傳輸給照度計,照度計將光信號轉(zhuǎn)換成電信號傳遞給采集設(shè)備,采集的數(shù)據(jù)在電腦中通過采樣軟件搜集。此系統(tǒng)能在不中斷試驗的情況下實時檢測模組光照度的變化,因此試驗數(shù)據(jù)的精度相比中斷測試方式要高。

試驗流程示意圖

    采集設(shè)備包括全數(shù)字多通道照度計及配套軟件、光纖、光纖夾具。供電設(shè)備是恒流源,為LED樣品提供350mA的電流。高溫老化試驗箱使用的是高低溫循環(huán)試驗箱,控制溫度在125℃。
    1.2  試驗樣品

    試驗樣品有四種,其外觀如圖2所示,從左至右依次為:藍光純芯片樣品(下稱純芯片樣品),藍光芯片加硅膠樣品(下稱硅膠樣品),白光有熒光粉加硅膠樣品(下稱熒光粉硅膠樣品), 白光有熒光粉樣品,(下稱熒光粉樣品)。這些樣品都是以藍寶石為襯底,使用硅膠或熒光粉封裝在導電基板上完成的L ED模組。

四種不同的樣品

    2、結(jié)果與討論

    2.1 光照度監(jiān)測

    在試驗過程中樣品沒有出現(xiàn)閃爍和死燈的現(xiàn)象,所以當LED樣品的光照度衰減30%以上就可認為其失效。在125℃條件下對四種試驗樣品同時進行試驗,每一種樣品都選取了5個樣本。對每-一種樣品的5個樣本的光照度進行平均后再進行歸一化處理,其值如圖3所示。從圖中可以看到:在試驗進行了大約120h后純芯片樣品的光照度衰減了8%左右,而其余三種樣品光照度的衰減量都超過了3 0%。根據(jù)判斷LED失效的準則,硅膠樣品、熒光粉硅膠樣品及熒光粉樣品發(fā)生了失效。

歸一化光照度曲線

    2.2外觀變化
    試驗完成后對樣本進行外觀觀測,試驗后樣品的外觀如圖4所示。
試驗后樣品的外觀圖
    從圖中可以觀察到四種樣品出現(xiàn)了不同的外觀變化:純芯片樣品變化不太明顯,只是外層的環(huán)氧樹脂透鏡發(fā)生了少許變形;硅膠樣品中間出現(xiàn)了明顯的碳化還出現(xiàn)了氣泡;熒光粉硅膠樣品中間出現(xiàn)了明顯的氣泡和一些不明顯的碳化;熒光粉樣品的環(huán)氧樹脂透鏡發(fā)生了明顯的變形。
    2.3結(jié)果分析
    在試驗前,使用的試驗樣品經(jīng)檢查沒有碳化和氣泡,芯片和透鏡之間干凈、無異物。在125 ℃的條件下進行高溫老化試驗后,在有硅膠的樣品中出現(xiàn)了碳化和氣泡,無硅膠樣品的環(huán)氧樹脂透鏡發(fā)生了變形,沒有使用硅膠和熒光粉的純芯片樣品的變化小,光衰減也小,經(jīng)過了120 h的老化試驗,光衰減也不到10%, 根據(jù)失效判斷準則,此種樣品尚未發(fā)生失效。單獨使用硅膠的硅膠樣品與單獨使用熒光粉的熒光粉樣品在試驗進行大約36h后發(fā)生失效,不同在于:發(fā)生失效前,硅膠樣品的光照度衰減速率低于熒光粉樣品的光照度衰減速率;而發(fā)生失效后,硅膠樣品的光照度衰減速率明顯加快,使試驗進行120h后硅膠樣品的光照度衰減量遠高于熒光粉樣品光照度的衰減量。同時使用硅膠和熒光粉的熒光粉硅膠樣品在大約12h后發(fā)生失效,在試驗進行120h后光照度衰減量達到了90%。綜上,可以得出以下結(jié)論:
    ①純芯片樣品壽命長。可能的原因是:芯片樣品以藍寶石襯底而沒有填充硅膠和熒光粉,即芯片樣品中除環(huán)氧樹脂透鏡外沒有填充任何封裝材料。所以在相同的試驗時間和溫度條件下,填充了封裝材料的硅膠樣品、熒光粉樣品和熒光粉硅膠樣品都發(fā)生了失效,而芯片樣品的光照度雖然有所衰減但都沒有達到30%。
    ②硅膠和熒光粉會導致模組光照度加速衰減。硅膠在高溫條件下會發(fā)生碳化進而產(chǎn)生氣體,所以在試驗后的樣品中可以看到明顯的氣泡。而在藍光樣品中可以看到明顯的碳化,是因為藍寶石襯底在芯片的下面將整個芯片裸露出來,使碳化現(xiàn)象可以直接被觀察到。但是白光樣品中,在芯片外層還涂敷了熒光粉,熒光粉本身的顏色遮擋住碳化現(xiàn)象,所以在白光樣品中可以觀察到明顯的氣泡和不明顯的碳化。而對于熒光粉,涂覆的熒光粉可能阻礙了LED樣品的散熱,導致LED樣品溫度升高造成光照度衰減。所以,熒光粉樣品的光照度衰減量遠大于芯片樣品的光照度衰減量。
    ③在125°℃時環(huán)氧樹脂受熱膨脹,當試驗停止冷卻到室溫取出樣品時環(huán)氧樹脂又因為溫度的下降而收縮,這就使得取出的樣品上透鏡都發(fā)生了變形。透鏡變形將導致通光量的降低,但這個原因不會引起致命的光衰減。

    3、結(jié)論

    常用封裝材料(如硅膠和熒光粉)對LED模組可靠性具有重要影響,為研究封裝材料的影響規(guī)律,選取125℃作為環(huán)境溫度,采用在線測量的方式,使用高溫試驗箱同時對四種不同的樣品進行恒定溫度的 老化試驗。結(jié)果表明:在125 ℃的條件下,沒有使用硅膠和熒光粉的LED模組的壽命長,具有很高的可靠性;而硅膠的碳化以及隨之產(chǎn)生的氣體、阻礙散熱的熒光粉都會使光照度加速衰減,如果同時使用硅膠及熒光粉會使光照度迅速衰減導致模組失效。
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